miércoles, 24 de septiembre de 2008

MEMORIA SRAM


MEMORIA SRAM



SRAM es el acrónimo de Static Random Access Memory (Memoria Estática de Acceso Aleatorio), un tipo de memoria RAM (RAM estática) alternativa a la DRAM (RAM dinámica).
La memoria SRAM es muy cara, por lo que se suele usar con más frecuencia la memoria DRAM la cual es más barata y más pequeña, pero también más lenta, además necesita periódicas señales de refresco para que no pierda su contenido. La SRAM por su parte no necesita ser refrescada. Ambas memorias son volátiles, queriendo decir con esto, que cuando se corta el suministro de corriente, los datos almacenados se pierden.
Debido al alto coste de fabricación de la SRAM y a su alta velocidad, su uso más común está en la
memoria caché de los ordenadores.



DISEÑO


"Acceso aleatorio" significa que la localización de las posiciones en la memoria donde los datos será leídos o escritos, no sigue ningún orden. Cada bit en una SRAM es almacenado en cuatro transistores que forman un biestable. Esta célula de almacenaje tiene dos estados estables, los cuales se utilizan para denotar 0 ó 1. Dos transistores adicionales sirven para controlar el acceso a la célula de almacenaje durante las operaciones de lectura o escritura.
Otra diferencia con la DRAM que contribuye a hacer SRAM más rápido es que los chips comerciales aceptan todos los bits de dirección a la vez. El tamaño de la SRAM con m líneas de dirección y n líneas de datos es 2m palabras, o 2m*n bits.


OPERACIONES DE SRAM


Una célula de SRAM tiene tres estados distintos en los que puede estar:

  • Reposo (standby): cuando no se realizan tareas de acceso al circuito.

  • Lectura (reading): cuando la información ha sido solicitada.

  • Escritura (writing): cuando se actualizan los contenidos.

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